[发明专利]制造具有减小的接触电阻的FINFET的方法在审
| 申请号： | 201980085363.0 | 申请日： | 2019-11-13 |
| 公开（公告）号： | CN113228296A | 公开（公告）日： | 2021-08-06 |
| 发明（设计）人： | 武内英树;D·康奈利;M·海塔;R·伯顿;R·J·米尔斯 | 申请（专利权）人： | 阿托梅拉公司 |
| 主分类号： | H01L29/66 | 分类号： | H01L29/66;H01L29/417;H01L29/45 |
| 代理公司： | 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 | 代理人： | 谭冀 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 制造FINFET的方法可包括在半导体鳍中形成间隔开的源极和漏极区域，在它们之间具有延伸的沟道区域。可通过掺杂剂扩散阻挡超晶格将源极和漏极区域中的至少一个分成下部区域和上部区域，其中该上部区域具有与该下部区域相同的传导率和比该下部区域高的掺杂剂浓度。该方法还可包括在该沟道区域上形成栅极，在该上部区域上沉积至少一个金属层，和施加热以使非半导体原子从非半导体单层向上运动从而与该至少一个金属层反应以在该上部区域和该至少一个金属层的相邻部分之间形成接触绝缘界面。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 具有 减小 接触 电阻 finfet 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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