[发明专利]具有包括氧插入层以约束掺杂剂的金属-半导体接触部的半导体器件和相关方法在审
| 申请号： | 201980085383.8 | 申请日： | 2019-11-13 |
| 公开（公告）号： | CN113261112A | 公开（公告）日： | 2021-08-13 |
| 发明（设计）人： | D·康奈利;M·海塔;武内英树;R·布顿;R·J·米尔斯 | 申请（专利权）人： | 阿托梅拉公司 |
| 主分类号： | H01L29/15 | 分类号： | H01L29/15;H01L29/36;H01L29/78;H01L29/10 |
| 代理公司： | 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 | 代理人： | 谭冀 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： |
半导体器件可包括半导体层(521)和在该半导体层中的至少一个接触部部。该接触部可包括被约束在该半导体层的相邻半导体部分(546a，546b)的晶体晶格内并通过一至四个单层与该半导体层的表面间隔开的至少一个氧单层(550)，和在该至少一个氧单层上方的在该半导体层的表面上的金属层(531)。在该氧单层和该金属层之间的半导体部分可具有1×10 |
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| 搜索关键词： | 具有 包括 插入 约束 掺杂 金属 半导体 接触 半导体器件 相关 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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