[发明专利]制造用于正面图像传感器的衬底的方法在审
| 申请号： | 201980085606.0 | 申请日： | 2019-12-23 |
| 公开（公告）号： | CN113228248A | 公开（公告）日： | 2021-08-06 |
| 发明（设计）人： | W·施瓦岑巴赫;L·埃卡尔诺;D·马西;N·本穆罕默德;N·达瓦尔;C·吉拉尔;C·马勒维尔 | 申请（专利权）人： | SOITEC公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762;H01L21/322;H01L21/265 |
| 代理公司： | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人： | 程伟;何晶 |
| 地址： | 法国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明涉及一种制造用于正面图像传感器的衬底的方法，所述方法包括：‑提供包括待转移的半导体层(3a)的供体衬底(30)，‑提供半导体载体衬底(1)，‑使供体衬底(30)与载体衬底(1)结合，电绝缘层(2)位于结合界面处，‑将半导体层(3a)转移至载体衬底(1)，‑将气体离子(40)经由经转移的半导体层(3a)和电绝缘层(2)注入到载体衬底(1)中，‑在注入之后，在经转移的半导体层(3a)上外延生长附加半导体层(3b)。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 用于 正面 图像传感器 衬底 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于SOITEC公司，未经SOITEC公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201980085606.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：二价靶向缀合物
- 下一篇：具有威胁检测和辨别功能的人员检查
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
