[发明专利]热处理炉的预处理条件的确定方法、热处理炉的预处理方法、热处理装置以及已进行热处理的半导体晶片的制造方法和制造装置在审
| 申请号： | 201980086161.8 | 申请日： | 2019-12-06 |
| 公开（公告）号： | CN113196456A | 公开（公告）日： | 2021-07-30 |
| 发明（设计）人： | 桑野嘉宏 | 申请（专利权）人： | 胜高股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/31 | 分类号： | H01L21/31;H01L21/324 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 张桂霞;梅黎 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供热处理炉的预处理条件的确定方法，上述预处理是指边对上述热处理炉的炉内供给气体边进行加热，该热处理炉的预处理条件的确定方法包括：设定供给气体的种类与加热温度的组合的多个候选；对各组合的候选赋予分数，该分数是根据判定为上述预处理的去除对象的对象金属的种类确定的；以及以上述赋予的分数为指标，从上述多个候选中确定用作预处理条件的供给气体的种类与加热温度的组合。 | ||
| 搜索关键词： | 热处理 预处理 条件 确定 方法 装置 以及 进行 半导体 晶片 制造 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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