[发明专利]多晶金刚石自立基板及其制造方法在审
| 申请号： | 201980086235.8 | 申请日： | 2019-09-25 |
| 公开（公告）号： | CN113557588A | 公开（公告）日： | 2021-10-26 |
| 发明（设计）人： | 古贺祥泰 | 申请（专利权）人： | 胜高股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;C23C16/27 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 梅黎 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种制造层叠有高品质的化合物半导体层的多晶金刚石自立基板的方法。以附着于单晶硅基板(10)上的金刚石粒子(14)为核心，通过化学气相沉积法，在单晶硅基板(10)上使厚度为100μm以上的多晶金刚石层(16)生长。此时，将多晶金刚石层的表面(16A)上的晶粒的最大粒径除以多晶金刚石层(16)的厚度的值设为0.20以下。然后，对多晶金刚石层的表面(16A)进行平坦化。然后，通过真空常温接合法或等离子体接合法，在多晶金刚石层(16)上贴合化合物半导体基板(20)。然后，对化合物半导体基板(20)进行减厚而形成化合物半导体层(22)。去除单晶硅基板(10)。如此，获得多晶金刚石层(16)作为化合物半导体层(22)的支撑基板而发挥作用的多晶金刚石自立基板(100)。 | ||
| 搜索关键词： | 多晶 金刚石 自立 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
