[发明专利]MEMS电容传感器及其制备方法、电子设备在审
| 申请号： | 201980087006.8 | 申请日： | 2019-05-31 |
| 公开（公告）号： | CN113678472A | 公开（公告）日： | 2021-11-19 |
| 发明（设计）人： | 罗松成;詹竣凯;游博丞;谢冠宏;方维伦 | 申请（专利权）人： | 共达电声股份有限公司 |
| 主分类号： | H04R19/04 | 分类号： | H04R19/04 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 史治法 |
| 地址： | 261200 山*** | 国省代码： | 山东;37 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 一种MEMS电容传感器及其制备方法，该传感器包括第一电极结构(200)，该第一电极结构(200)包括位于中间区域的第一导电区域(230a)以及所述第一导电区域周围的绝缘区域(240)，第一导电区域(230a)和绝缘区域(240)为一整体结构，且其中至少一个通过掺杂方式形成。上述MEMS电容式传感器，通过在第一电极结构中设置在中间区域的第一导电区域导电，第一导电区域周围的绝缘区域绝缘，降低了MEMS电容式传感器的寄生电容，并且无需设置多层绝缘薄膜，避免了残余应力控制复杂、多层薄膜剥离和弯曲的问题。 | ||
| 搜索关键词： | mems 电容 传感器 及其 制备 方法 电子设备 | ||
【主权项】：
暂无信息
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