[发明专利]低发射覆层以及离子植入器在审
| 申请号： | 201980087007.2 | 申请日： | 2019-12-05 |
| 公开（公告）号： | CN113228225A | 公开（公告）日： | 2021-08-06 |
| 发明（设计）人： | 朱利安·G·布雷克;法兰克·辛克莱 | 申请（专利权）人： | 应用材料股份有限公司 |
| 主分类号： | H01J37/317 | 分类号： | H01J37/317;C23C14/32;H01J37/147 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 王蕊;臧建明 |
| 地址： | 美国加州圣塔克拉尔,鲍尔斯*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： |
公开一种离子植入器。所述离子植入器可包括束线，所述束线限定围绕空腔的内壁，所述空腔被布置成传导离子束。所述离子植入器也可包括低发射嵌件，所述低发射嵌件设置在所述内壁上并且还包括 |
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| 搜索关键词： | 发射 覆层 以及 离子 植入 | ||
【主权项】：
暂无信息
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