[发明专利]用于半导体处理装置的通过吹扫气体稀释和排出来减少气体凝结在腔室壁上在审
| 申请号： | 201980087189.3 | 申请日： | 2019-12-05 |
| 公开（公告）号： | CN113272944A | 公开（公告）日： | 2021-08-17 |
| 发明（设计）人： | 约翰·巴格特 | 申请（专利权）人： | 艾克塞利斯科技公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/3105 |
| 代理公司： | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 11019 | 代理人： | 刘芳;寿宁 |
| 地址： | 美国马萨诸塞州*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 一种用于加热腔室中的工件的系统、方法和装置，其提供大体上圈定腔室容积的一个或多个表面。真空和吹扫气体端口与腔室容积流体连通。加热器装置将工件支撑件上的工件选择性地加热到预定温度，并且在腔室容积内产生脱气材料。真空阀在真空源和真空端口之间提供选择性流体连通。吹扫气体阀在用于吹扫气体的吹扫气体源与吹扫气体端口之间提供选择性流体连通。控制器控制真空和吹扫气体阀，以在工件被加热时在预定压力下选择性地使吹扫气体从吹扫气体端口流动至真空端口，从而移除和防止脱气材料在腔室表面上的凝结。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 半导体 处理 装置 通过 气体 稀释 出来 减少 凝结 壁上 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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