[发明专利]双面发光LED芯片在审
| 申请号： | 201980087439.3 | 申请日： | 2019-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN113228308A | 公开（公告）日： | 2021-08-06 |
| 发明（设计）人： | 朴斗镇;张弼国 | 申请（专利权）人： | 株式会社纳诺艾思 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/24;H01L33/38 |
| 代理公司： | 北京青松知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 11384 | 代理人： | 郑青松 |
| 地址： | 韩国京畿道乌山市佳*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明提供一种双面发光LED芯片，其为向P‑N结的上侧和下侧分别进行发光的双面发光LED芯片，且为利用包括P层和设置在上述P层下方的N层的P‑N结的电致发光效应的LED芯片，上述双面发光LED芯片的特征在于，向上述P层的上侧方向和上述N层的下侧方向分别进行发光。根据本发明，可以作为单一芯片适用于需要双面发光的领域，能够实现适用设备的小型化，提高功率效率，具有降低制造成本的效果。并且，根据本发明制造的双面发光LED芯片可以通过批量工艺制造，因此不需要单独的封装工序。并且，根据本发明的双面发光LED芯片通过减少LED产生的光的全内反射来具有提高光效率的效果。 | ||
| 搜索关键词： | 双面 发光 led 芯片 | ||
【主权项】：
暂无信息
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