[发明专利]半导体辐射检测器在审
| 申请号： | 201980087442.5 | 申请日： | 2019-01-10 |
| 公开（公告）号： | CN113260880A | 公开（公告）日： | 2021-08-13 |
| 发明（设计）人： | 曹培炎;刘雨润 | 申请（专利权）人： | 深圳帧观德芯科技有限公司 |
| 主分类号： | G01T1/24 | 分类号： | G01T1/24 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518071 广东省深圳市南山区桃源街道塘朗*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本文公开一种辐射检测器(100)，其包括：包括第一组电触点(118A)和第二组电触点(118B)的电子器件层(120)；被配置为吸收辐射的辐射吸收层(110)；第一组电极(119A)和第二组电极(119B)，其中所述第一组电极(119A)和第二组电极(119B)相互交叉并且沿其厚度方向延伸到所述辐射吸收层(110)中；其中所述电子器件层(120)和所述辐射吸收层(110)被结合，使得所述第一组电极(119A)被电连接到所述第一组电触点(118A)，并且所述第二组电极(119B)被电连接到所述第二组电触点(118B)。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 辐射 检测器 | ||
【主权项】：
暂无信息
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