[发明专利]用于渗透和快速气相沉积多孔组件的方法和装配件

摘要

本发明的目的是一种用于致密化至少一个多孔组件(1)的CVI(化学气相渗透)方法，该方法包括至少以下步骤：‑将至少一个多孔组件(1)置于坩埚(3)内部；‑使坩埚(3)内部的温度(Ti)达到适于致密化多孔组件(1)的值，以将多孔组件(1)转变成致密化组件(2)；‑使坩埚(2)内部的压力(Pi)在0.1Kpa至25Kpa之间；‑一旦达到操作温度和压力，使反应气体(4)在坩埚内部流动；‑将反应气体或气体(4)供给至坩埚(3)中，气体(4)适于致密化多孔组件(1)以将多孔组件(1)转变成致密化组件(2)；其中提供了以下另外的步骤‑保持坩埚(3)外部的氧化环境，其中外部环境搭接于坩埚(3)；并且其中‑坩埚(3)由以下材料中的至少一种制成，该材料允许从室温到至少1000℃的热导率大于30W/mK:‑设置烧结碳化硅(SiC)的坩埚(3)；或‑设置渗硅碳化硅(Si‑SiC)的坩埚(3)；或‑设置烧结碳化硼(B4C)的坩埚(3)；或‑设置硅浸渗碳化硼(Si‑B4C)的坩埚(3)；或‑设置烧结碳化锆(ZrC)的坩埚(3)；或‑设置渗硅碳化锆(Si‑ZrC)的坩埚(3)；或‑设置由碳化硅(SiC)，碳化硼(B4C)和烧结碳化锆(ZrC)和/或渗硅碳化锆(ZrC)的组合的坩埚(3)。