[发明专利]纳米孪晶铜结构的电沉积在审
| 申请号： | 201980087479.8 | 申请日： | 2019-10-28 |
| 公开（公告）号： | CN113260739A | 公开（公告）日： | 2021-08-13 |
| 发明（设计）人： | 斯蒂芬·J·巴尼克二世;布莱恩·L·巴卡柳;贾斯廷·奥伯斯特;布万·杜阿;阿妮卡·尼科尔·诺伊曼;托马斯·安纳德·庞努斯瓦米 | 申请（专利权）人： | 朗姆研究公司 |
| 主分类号： | C25D5/18 | 分类号： | C25D5/18;C25D5/10;C25D7/12;C25D3/38;H01L21/288;H01L21/768;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 上海胜康律师事务所 31263 | 代理人： | 李献忠;张华 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 在衬底上沉积具有高密度纳米孪晶的铜结构。用于沉积纳米孪晶铜结构的电度条件可包含施加在恒定电流与没有电流之间交变的脉冲电流波形，其中没有施加电流的持续时间明显大于施加恒定电流的持续时间。在一些实现方案中，通过施加脉冲电流波形后接恒定电流波形而沉积纳米孪晶铜结构。在一些实现方案中，纳米孪晶铜结构被沉积在高度定向的基底层上，其中电镀溶液含有加速剂添加剂。在一些实现方案中，纳米孪晶铜结构被沉积在非铜晶种层上。在一些实现方案中，在相对低的流率下沉积纳米孪晶铜结构。 | ||
| 搜索关键词： | 纳米 孪晶铜 结构 沉积 | ||
【主权项】：
暂无信息
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