[发明专利]半导体装置、半导体装置的制造方法及电力转换装置在审

专利信息
申请号: 201980088014.4 申请日: 2019-01-18
公开(公告)号: CN113261095A 公开(公告)日: 2021-08-13
发明(设计)人: 坂本健 申请(专利权)人: 三菱电机株式会社
主分类号: H01L23/28 分类号: H01L23/28;H01L23/29;H01L25/07;H01L25/18
代理公司: 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 代理人: 朱龙
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
权利要求书: 暂无信息 说明书: 暂无信息
摘要: 发明得到能够确保与端子部的空间距离并且实现应对了端子配置的窄间距化的小型化的半导体装置。一种半导体装置,具备:半导体元件(1);金属构件(3),具有在上表面上搭载有半导体元件(1)的搭载部(3a)和设置于搭载部(3a)的上方且隔开间隔地并列并在一端具有弯曲部(3d)的多个端子部(3e),多个端子部(3e)在各自的弯曲部(3d)向搭载部(3a)的上表面侧弯曲;及密封构件(4),使多个端子部(3e)从密封构件的侧面露出,多个端子部(3e)之间的密封构件的侧面是平坦的,所述密封构件在弯曲部(3d)的上方设置于比多个端子部(3e)的内表面靠内侧的位置,并在弯曲部(3d)的下方与弯曲部(3d)的下方接触并设置到弯曲部(3d)的外侧,所述密封构件将半导体元件(1)与金属构件(3)一体地密封。
搜索关键词: 半导体 装置 制造 方法 电力 转换
【主权项】:
暂无信息
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