[发明专利]发射辐射的器件和制造发射辐射的器件的方法在审
| 申请号： | 201980088548.7 | 申请日： | 2019-12-18 |
| 公开（公告）号： | CN113261122A | 公开（公告）日： | 2021-08-13 |
| 发明（设计）人： | A·鲍姆加特纳;T·Q·廖;T·刘;K·施密特克 | 申请（专利权）人： | 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L33/52 | 分类号： | H01L33/52;H01L33/56;H01L33/50 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 张涛;刘春元 |
| 地址： | 德国雷*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 说明了一种发射辐射的器件（1），具有：‑半导体芯片（2），所述半导体芯片在运行期间从辐射出射面（3）发射第一波长范围的电磁辐射，以及‑灌注体（4），所述灌注体包括基质材料（5）和大量纳米颗粒（6），其中‑所述纳米颗粒（6）在所述基质材料（5）中的浓度从所述半导体芯片（2）的辐射出射面（3）开始降低，使得所述灌注体（4）的折射率从所述半导体芯片（2）的辐射出射面（3）开始降低。此外说明了一种用于制造发射辐射的器件（1）的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 发射 辐射 器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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