[发明专利]单晶X射线构造解析用试样的吸藏装置和吸藏方法在审
| 申请号： | 201980088995.2 | 申请日： | 2019-11-21 |
| 公开（公告）号： | CN113302483A | 公开（公告）日： | 2021-08-24 |
| 发明（设计）人： | 佐藤孝 | 申请（专利权）人： | 株式会社理学 |
| 主分类号： | G01N23/20025 | 分类号： | G01N23/20025;G01N1/28 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 张远 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 能够将吸藏了试样的细孔性络合物晶体可靠地供给至单晶X射线构造解析装置。使试样吸藏的吸藏装置具备：供给部，将所述试样供给到被试样保持架(310)保持的细孔性络合物晶体；温度调整部，控制所述细孔性络合物晶体的温度；驱动部，驱动所述供给部；以及控制部，控制所述供给部、所述温度调整部和所述驱动部。将所述试样保持架(310)在装配于敷料器(311)的状态下设置于所述吸藏装置，所述供给部对在所述敷料器(311)的内部保持于所述试样保持架(310)的所述细孔性络合物晶体供给所述试样，所述温度调整部控制在供给所述试样的所述敷料器(311)的内部保持于所述试样保持架(310)的所述细孔性络合物晶体的温度。 | ||
| 搜索关键词： | 射线 构造 解析 试样 装置 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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