[发明专利]使用照射刻蚀溶液来降低材料粗糙度的加工系统和平台在审
申请号: | 201980089026.9 | 申请日: | 2019-12-10 |
公开(公告)号: | CN113302730A | 公开(公告)日: | 2021-08-24 |
发明(设计)人: | 奥米德·赞迪;雅克·法戈特 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/3213 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 蔡胜有;孙雅雯 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 描述了照射刻蚀溶液提从而供对材料的受控刻蚀的加工系统和平台实施例。这些加工系统和平台将液体刻蚀溶液沉积在待刻蚀的材料上并且照射该液体刻蚀溶液从而调节反应物水平。该液体刻蚀溶液具有第一反应物水平,并且该照射使该液体刻蚀溶液具有不同于该第一水平的第二反应物水平。用经照射的刻蚀溶液使该材料改性,并且去除经改性的材料。该输送、暴露和去除可以重复从而提供循环的刻蚀。进一步地,氧化和溶解可以同时发生或者可以在多个步骤中发生。被刻蚀的材料可以是多晶材料、多晶金属、和/或其他材料。液体刻蚀溶液可以包括被照射从而形成过羟基自由基的过氧化氢。 | ||
搜索关键词: | 使用 照射 刻蚀 溶液 降低 材料 粗糙 加工 系统 平台 | ||
【主权项】:
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造