[发明专利]存储器阵列和用于形成存储器阵列的方法

摘要

一种用于形成存储器阵列的方法包括形成衬底，所述衬底包括导电层、导电层上方的第一绝缘体层、第一绝缘体层上方的牺牲材料层以及牺牲材料层上方的第二绝缘体层。包括竖直交替的绝缘层和字线层的堆叠形成在第二绝缘体层上方。形成穿过绝缘层和字线层的沟道材料。形成穿过堆叠到牺牲材料层的水平伸长沟槽。通过水平伸长沟槽相对于第一绝缘体层的材料选择性地且相对于第二绝缘体层的材料选择性地蚀刻牺牲材料。沟道材料的横向外部侧壁暴露在牺牲材料层中。直接抵靠牺牲材料层中的沟道材料的横向外部侧壁形成导电结构。导电结构延伸穿过第一绝缘体层且将沟道材料直接电耦合到导电层。公开了结构实施例。