[发明专利]光子芯片及其制造方法在审
| 申请号： | 201980089664.0 | 申请日： | 2019-12-19 |
| 公开（公告）号： | CN113287045A | 公开（公告）日： | 2021-08-20 |
| 发明（设计）人： | G·里德;D·汤姆森 | 申请（专利权）人： | 南安普敦大学 |
| 主分类号： | G02B6/122 | 分类号： | G02B6/122;G02B6/12;G02B6/13 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 李雪娜;陈岚 |
| 地址： | 英国南*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供了一种硅光子芯片，包括顶部硅设备层；在顶部硅设备层下方的绝缘层；在绝缘层下方的中间硅设备层；在中间硅设备层下方的进一步绝缘层；在进一步绝缘层下方的硅衬底；以及第一硅波导，所述第一硅波导部分地由中间硅设备层的一部分形成。 | ||
| 搜索关键词： | 光子 芯片 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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