[发明专利]IGBT器件有效
| 申请号： | 201980091300.6 | 申请日： | 2019-11-27 |
| 公开（公告）号： | CN113748520B | 公开（公告）日： | 2022-05-31 |
| 发明（设计）人： | 龚轶;王睿;刘伟;袁愿林;王鑫 | 申请（专利权）人： | 苏州东微半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 蒋黎丽;胡彬 |
| 地址： | 215123 江苏省苏州市苏州工业园*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请提供的一种IGBT器件，包括位于n型漂移区(21)顶部的p型体区(22)，位于所述p型体区(22)内的第一n型发射极区(23)；位于所述p型体区(22)之上的第一栅极结构，所述第一栅极结构包括第一栅介质层(24)以及位于所述第一栅介质层(24)之上的第一栅极(26)和n型浮栅(25)，且在横向上，所述n型浮栅(25)位于靠近所述n型漂移区(21)的一侧，所述第一栅极(26)位于靠近所述第一n型发射极区(23)的一侧并延伸至所述n型浮栅(25)之上，介于所述n型浮栅(25)和所述第一栅极(26)之间的绝缘介质层(27)；位于所述第一栅介质层(24)中的一个开口(28)，所述n型浮栅(25)通过所述开口(28)与所述p型体区(22)接触形成p‑n结二极管。 | ||
| 搜索关键词： | igbt 器件 | ||
【主权项】：
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