[发明专利]MOSFET过热检测在审
| 申请号： | 201980091351.9 | 申请日： | 2019-12-17 |
| 公开（公告）号： | CN113396321A | 公开（公告）日： | 2021-09-14 |
| 发明（设计）人： | 刘伟 | 申请（专利权）人： | 创科无线普通合伙 |
| 主分类号： | G01K7/01 | 分类号： | G01K7/01;G01R31/26 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 杨贝贝;臧建明 |
| 地址： | 美国南卡*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供了一种用于检测MOSFET(12)的结温的电路(10)。电路(10)包括MOSFET(12)；与MOSFET(12)的漏极或源极串联连接的感测电阻器(Rs)；用于将感测电阻器(Rs)两端的电压(Vr)放大预定值(K)的放大器(14)；以及用于将放大后的电压(KVr)与MOSFET(12)的漏极电压(Vds)进行比较的比较器(16)。 | ||
| 搜索关键词： | mosfet 过热 检测 | ||
【主权项】：
暂无信息
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