[发明专利]半导体装置的制造方法在审
| 申请号： | 201980092932.4 | 申请日： | 2019-04-26 |
| 公开（公告）号： | CN113678230A | 公开（公告）日： | 2021-11-19 |
| 发明（设计）人： | 上野贵宽;南政史;中谷光德 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 李洋;王培超 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 在半导体基板(1)之上涂覆下层抗蚀剂(2)。在下层抗蚀剂(2)之上涂覆上层抗蚀剂(3)。通过曝光和显影而在上层抗蚀剂(3)形成第1开口(4)，在显影时，通过显影液还溶解下层抗蚀剂(2)，而在第1开口(4)的下方形成宽度比第1开口(4)宽的第2开口(5)，从而形成具有底切的帽檐状的抗蚀剂图案(6)。通过实施烘焙使上层抗蚀剂(3)热收缩，从而使上层抗蚀剂(3)的帽檐部(7)向上侧翘曲。在烘焙后，将金属膜(8)成膜于抗蚀剂图案(6)之上、和通过第2开口(5)暴露的半导体基板(1)之上。除去抗蚀剂图案(6)和抗蚀剂图案(6)之上的金属膜(8)，残留半导体基板(1)之上的金属膜(8)来作为电极(9)。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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