[发明专利]偏移测量的动态改善在审
| 申请号： | 201980093658.2 | 申请日： | 2019-05-19 |
| 公开（公告）号： | CN113544830A | 公开（公告）日： | 2021-10-22 |
| 发明（设计）人： | R·弗克维奇;A·戈洛塔斯万;E·阿本德 | 申请（专利权）人： | 科磊股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 刘丽楠 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种动态偏移测量改善方法，其包含：在第一半导体装置晶片上的多个位点处进行至少一次偏移测量，所述第一半导体装置晶片选自旨在为相同的一批次半导体装置晶片；分析所述偏移测量中的每一者；使用来自所述偏移测量中的每一者的所述分析的数据来确定所述多个位点中的每一者处的经改善偏移测量参数；其后改善用于所述多个位点中的所述每一者处的经改善偏移测量的偏移计量工具设置，借此产生经改善偏移计量工具设置；及其后在第二半导体装置晶片上的多个位点处使用所述经改善偏移计量工具设置来测量偏移，所述第二半导体装置晶片选自旨在为相同的所述批次半导体装置晶片。 | ||
| 搜索关键词： | 偏移 测量 动态 改善 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
