[发明专利]使用因果模型抛光半导体晶圆在审
| 申请号： | 201980094006.0 | 申请日： | 2019-10-03 |
| 公开（公告）号： | CN113574474A | 公开（公告）日： | 2021-10-29 |
| 发明（设计）人： | 布赖恩·E·布鲁克斯;吉勒斯·J·伯努瓦;彼得·O·奥尔森;泰勒·W·奥尔森;希曼舒·纳亚尔;弗雷德里克·J·阿瑟诺;尼古拉斯·A·约翰逊;文森特·J·拉拉亚;唐·V·韦斯特 | 申请（专利权）人： | 3M创新有限公司 |
| 主分类号： | G05B13/04 | 分类号： | G05B13/04;H01L21/304;B24B37/005 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 张娜;林文 |
| 地址： | 美国明*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供了用于优化抛光半导体晶圆的过程的方法、系统和设备，包括编码在计算机存储介质上的计算机程序。在一个方面，该方法包括重复地执行以下操作：i)基于因果模型，选择用于抛光半导体晶圆的输入设置的配置，该因果模型度量输入设置与半导体晶圆的质量之间的当前因果关系；ii)接收用该输入设置的配置抛光的该半导体晶圆的该质量的量度；以及iii)基于用该输入设置的配置抛光的该半导体晶圆的该质量的量度，调整该因果模型。 | ||
| 搜索关键词： | 使用 因果 模型 抛光 半导体 | ||
【主权项】：
暂无信息
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