[发明专利]高频半导体放大器有效
| 申请号： | 201980094252.6 | 申请日： | 2019-03-25 |
| 公开（公告）号： | CN113574797B | 公开（公告）日： | 2023-10-10 |
| 发明（设计）人： | 佐佐木善伸 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H03F3/193 | 分类号： | H03F3/193;H01L21/822;H01L21/8234;H01L27/04;H01L27/06;H03F3/60 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 张青;卢英日 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明所涉及的高频半导体放大器具备：晶体管，其形成于半导体基板上，具有栅极电极、源极电极以及漏极电极；晶体管的输入侧基波匹配用的匹配电路；第一电感器，其形成于半导体基板上，一端与晶体管的栅极电极连接，另一端与匹配电路连接；电容，其形成于半导体基板上，一端短路；以及第二电感器，其形成于半导体基板上，一端与晶体管的栅极电极连接，另一端与电容的另一端连接。第二电感器在二倍波的频率下与电容串联谐振，且与第一电感器呈现减极性的互感，并与第一电感器形成输入侧二倍波匹配用互感电路。 | ||
| 搜索关键词： | 高频 半导体 放大器 | ||
【主权项】：
暂无信息
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