[发明专利]一种半导体结构及其制备方法在审
| 申请号： | 201980095825.7 | 申请日： | 2019-04-26 |
| 公开（公告）号： | CN114072925A | 公开（公告）日： | 2022-02-18 |
| 发明（设计）人： | 程凯 | 申请（专利权）人： | 苏州晶湛半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/06;H01L21/335 |
| 代理公司： | 北京布瑞知识产权代理有限公司 11505 | 代理人： | 孟潭 |
| 地址： | 215123 江苏省苏州市苏州工*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 一种半导体结构及其制备方法，包括：衬底(1)、沟道层(4)、势垒层(5)、栅极结构(6)、源极(7)、漏极(8)，其中所述栅极结构(6)包括p型半导体层(62)、n型半导体层(63)、栅极(65)；提高了栅极(65)对沟道的控制能力；提高半导体器件的阈值电压，避免栅极结构(6)垂直漏电，降低栅极结构(6)侧面漏电；避免沟道退化，提高器件的整体输出特性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于苏州晶湛半导体有限公司，未经苏州晶湛半导体有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201980095825.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
