[发明专利]半导体装置在审
| 申请号： | 201980096512.3 | 申请日： | 2019-05-23 |
| 公开（公告）号： | CN113853675A | 公开（公告）日： | 2021-12-28 |
| 发明（设计）人： | 大久保和哉 | 申请（专利权）人： | 株式会社索思未来 |
| 主分类号： | H01L21/822 | 分类号： | H01L21/822;H01L27/04 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 邰琳琳 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供半导体装置，具有：第一布线，形成于基板；第一电路区域，具备第一电源布线和第一接地布线；第二电路区域，具备第二电源布线和第二接地布线；以及双向二极管，连接在上述第一接地布线与上述第二接地布线之间，具备第一二极管和第二二极管，上述第一二极管具有与上述第二接地布线电连接的第一导电型的第一杂质区域和与上述第一接地布线电连接的第二导电型的第二杂质区域，上述第二二极管具有与上述第二接地布线电连接的上述第二导电型的第三杂质区域和与上述第一接地布线电连接的上述第一导电型的第四杂质区域，上述第一杂质区域、或上述第二杂质区域、或上述第三杂质区域、或上述第四杂质区域、或它们的任意组合与上述第一布线连接。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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