[发明专利]一种半导体结构及其制造方法在审
| 申请号： | 201980097568.0 | 申请日： | 2019-06-17 |
| 公开（公告）号： | CN113994481A | 公开（公告）日： | 2022-01-28 |
| 发明（设计）人： | 程凯;朱昱 | 申请（专利权）人： | 苏州晶湛半导体有限公司;朱昱 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778 |
| 代理公司： | 北京布瑞知识产权代理有限公司 11505 | 代理人： | 秦卫中 |
| 地址： | 215123 江苏省苏州市苏州工*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明提供一种半导体结构及其制造方法，解决了现有半导体结构的难以耗尽栅极下方的沟道载流子浓度以实现增强型器件的问题。该半导体结构，包括：依次叠加的沟道层以及势垒层，其中所述势垒层的表面定义有栅极区域；形成于所述栅极区域的多个沟槽，其中所述多个沟槽延伸至所述沟道层内；以及填充在所述多个沟槽中的应力施加材料；其中，所述应力施加材料大于所述沟道层的晶格常数。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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