[发明专利]用于产生双梯度CdSeTe薄膜结构的方法

摘要

本发明提出了一种用于形成双梯度CdSeTe薄膜的方法。所述方法包括：提供基础衬底；形成第一CdSewTe1‑w层，所述第一CdSewTe1‑w层具有处于其中的第一量w1的硒；形成第二CdSewTe1‑w层，所述第二CdSewTe1‑w层具有处于其中的第二量w2的硒；以及形成第三CdSewTe1‑w层，所述第三CdSewTe1‑w层具有处于其中的第三量w3的硒。所述第二量w2在介于0.25与0.4之间的范围内，而所述量w1和w3中的每一个均在0到1的范围内。根据本发明，所述第一CdSewTe1‑w层和所述第三CdSewTe1‑w层中的能隙等于或高于1.45eV，并且所述第二CdSewTe1‑w层中的能隙在介于1.38eV与1.45eV之间的范围内并且小于所述第一CdSewTe1‑w层和所述第三CdSewTe1‑w层的所述能隙。