[发明专利]一种存储器、存储器阵列以及存储器的数据读写方法

摘要

一种存储器(10)、存储器阵列(200)以及存储器(10)的数据读写方法。其中，存储器(10)包括：第一半导体(101)、第一铁电薄膜(102)、第一写电极(103)、第一读电极(104)以及第二读电极(105)；第一半导体(101)相对的两端分别设置第一读电极(104)与第二读电极(105)；第一铁电薄膜(102)包裹第一半导体(101)的未被第一读电极(104)和第二读电极(105)连接的表面；第一铁电薄膜(102)的外表面与第一写电极(103)连接。通过第一写电极(103)向第一铁电薄膜(102)施加电压，以改变第一铁电薄膜(102)的极化状态。根据第一铁电薄膜(102)不同的极化状态调制第一半导体内电荷分布情况。使得第一半导体(101)在第一读电极(104)与第二读电极(105)施加相同读取电压时，产生不同的电流。