[发明专利]半导体结构及其制作方法在审
| 申请号： | 201980101639.X | 申请日： | 2019-11-26 |
| 公开（公告）号： | CN114616678A | 公开（公告）日： | 2022-06-10 |
| 发明（设计）人： | 程凯 | 申请（专利权）人： | 苏州晶湛半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L21/335 |
| 代理公司： | 北京博思佳知识产权代理有限公司 11415 | 代理人： | 闫海珍 |
| 地址： | 215123 江苏省苏州市苏州工*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本申请提供了一种半导体结构及其制作方法，半导体结构中，异质结上形成有原位绝缘层，原位绝缘层中具有凹槽，在凹槽内以及原位绝缘层上具有过渡层，过渡层上的栅极区域形成有p型半导体层。过渡层利于工艺中p型半导体层在凹槽外形成。原位绝缘层与过渡层可以减小器件中沟道泄漏到栅极形成的栅泄漏电流，因而异质结中的势垒层的厚度可以较小，从而可以提高阈值电压；此外，由于原位绝缘层的设置，可减小方块电阻，增加二维电子气的浓度，提高了栅极对沟道的控制能力，提升工作电流。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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