[发明专利]内存单元及其制造方法在审
| 申请号： | 201980101738.8 | 申请日： | 2019-11-15 |
| 公开（公告）号： | CN114762044A | 公开（公告）日： | 2022-07-15 |
| 发明（设计）人： | 刘峻志;廖昱程;邱泓瑜;李宜政 | 申请（专利权）人： | 北京时代全芯存储技术股份有限公司;江苏时代芯存半导体有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/00 | 分类号： | G11C11/00;H01L21/336 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100094 北京市海淀区丰豪*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种内存单元，包含主动组件(10)、电极(20a，20b)、加热单元(30)以及相变化单元(40)。电极(20a，20b)耦接于主动组件(10)，且电极(20a，20b)与该主动组件(10)位于同一层。加热单元(30)形成于电极(20a，20b)上方，且加热单元(30)耦接于电极(20a，20b)。相变化单元(40)耦接于加热单元(30)，其中相变化单元(40)形成于主动组件(10)上方，且相变化单元(40)与主动组件(10)并联。(图2)。 | ||
| 搜索关键词： | 内存 单元 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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