[发明专利]场效晶体管结构及其制造方法在审
| 申请号： | 201980101744.3 | 申请日： | 2019-11-15 |
| 公开（公告）号： | CN114641865A | 公开（公告）日： | 2022-06-17 |
| 发明（设计）人： | 廖昱程;刘峻志 | 申请（专利权）人： | 北京时代全芯存储技术股份有限公司;江苏时代芯存半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/335 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100094 北京市海淀*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 一种场效晶体管结构(1)，包含基板(10)、源极汲极部(20)、介电层(DL)、闸极构成(30)、半导体层(40)。源极汲极部(20)形成于基板(10)上，并且源极汲极部(20)包含源极与汲极(210/220)；介电层(DL)与源极汲极部(20)形成于同一层并电性隔离源极与汲极(210/220)；闸极构成(30)与源极汲极部(20)位于不同层，闸极构成(30)包含闸极导电层(310)以及闸极绝缘层(320)，闸极导电层(310)形成于介电层上，且闸极绝缘层(320)形成于闸极导电层(310)上并包覆闸极导电层(310)。半导体层(40)，形成于闸极绝缘层(320)上并包覆闸极绝缘层(320)。闸极构成(30)介于介电层(DL)与半导体层(40)之间，源极汲极部(20)耦接于半导体层(40)，且通过施加电压于闸极导电层(310)以于半导体层(40)中形成通道。 | ||
| 搜索关键词： | 晶体管 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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