[发明专利]一种半导体器件在审
| 申请号： | 201980101900.6 | 申请日： | 2019-11-12 |
| 公开（公告）号： | CN114631172A | 公开（公告）日： | 2022-06-14 |
| 发明（设计）人： | 黄子欣;许俊豪;张锐 | 申请（专利权）人： | 华为技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60 |
| 代理公司： | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人： | 刘丽萍 |
| 地址： | 518129 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 一种半导体器件(200)，包括基板(210)，以及相互绝缘的有源电路(220)和冗余电路(230)。其中该冗余电路(230)包括设置在基板(210)中的轻掺杂的P衬底(231)，设置在P衬底(231)中的重掺杂冗余源漏区(232)，设置在基板(210)表面的冗余金属层(235)，以及连接冗余源漏区(232)和冗余金属层(235)的金属柱(233)。上述重掺杂冗余源漏区(232)与轻掺杂的P衬底(231)形成无方向性的低阻抗电阻，使得金属导体上积累的电荷在垂直于基板(210)的方向上迅速转移，减小电荷对电路的损伤，从而提高了芯片的可靠性和良率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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