[发明专利]半导体-铁磁绝缘体-超导体混合器件在审
| 申请号： | 201980102748.3 | 申请日： | 2019-12-05 |
| 公开（公告）号： | CN114747014A | 公开（公告）日： | 2022-07-12 |
| 发明（设计）人： | P·克罗格斯拉普·杰普森;S·瓦伊缇克纳斯;C·M·马库斯 | 申请（专利权）人： | 微软技术许可有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L27/18 | 分类号： | H01L27/18;G06N10/20;H01L39/22;H01L39/24 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 董莘 |
| 地址： | 美国华*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 半导体‑铁磁绝缘体‑超导体混合器件。一种半导体‑铁磁绝缘体‑超导体混合器件(200)包括半导体组件(20)、铁磁绝缘体组件(24)和超导体组件(22)。所述半导体组件具有至少三个刻面(a、b、c)。所述铁磁绝缘体组件被布置在第一刻面和第二刻面上。所述超导体组件被布置在第三刻面上并且在至少所述第二刻面上的所述铁磁绝缘体组件上方延伸。所述器件对于生成马约喇纳零模式是有用的，所述马约喇纳零模式对于量子计算是有用的。还提供了一种制造所述器件的方法以及在所述器件中诱发拓扑行为的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 绝缘体 超导体 混合 器件 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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