[发明专利]一种台阶区形成方法和一种半导体器件的制造方法

摘要

本发明提供一种台阶区形成方法和一种半导体器件的制造方法，用于在基底上蚀刻成形N个连续的基底台阶，设定N为大于2的自然数，且待成形基底台阶自下而上依次为第1基底台阶至第N基底台阶，形成方法包括以下过程：在基底表面上设置光阻胶层；在光阻胶层上制作N‑1个光阻胶台阶，N‑1个光阻胶台阶一一对应覆盖至第2基底台阶至第N基底台阶待成形区域基底表面上的光阻胶台阶；修剪去除光阻胶台阶的第i级台阶；基于修剪后的光阻胶台阶对基底进行蚀刻；按i值由小到大的顺序循环执行修剪和蚀刻步骤，直至基底上形成N个基底台阶。本发明方法光阻胶层修剪量仅为每层台阶光阻胶层厚，降低了光阻胶的层厚、减少光阻胶层形变、提升生产效率。