[发明专利]清洗液生成装置及方法在审
| 申请号： | 202010000721.8 | 申请日： | 2020-01-02 |
| 公开（公告）号： | CN111180363A | 公开（公告）日： | 2020-05-19 |
| 发明（设计）人： | 白靖宇 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 | 代理人： | 刘恋;张颖玲 |
| 地址： | 430074 湖北省武*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明实施例提供了一种清洗液生成装置和方法，在清洗液生成装置的液体存储室中存储混合后的化学原液；所述化学原液至少包括：第一溶液、去离子水、第二溶液；第一溶液和第二溶液均为酸性溶液；通过清洗液生成装置的第一管道将所述混合后的化学原液输送至所述清洗液生成装置的第三管道；在清洗液生成装置的气体发生器中产生具有氧化性的气体；通过清洗液生成装置的第二管道将所述气体输送至所述第三管道；将所述混合后的化学原液和所述气体在所述第三管道中混合，生成用于清洗晶圆的清洗液。如此，能够提供氧化性强的清洗液、达到良好的清洗效果；同时，清洗液中的混合后的化学原液可以持续使用，化学原液不需要频繁更换，清洗效率高。 | ||
| 搜索关键词： | 清洗 生成 装置 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
