[发明专利]一种多材料共平面的异质集成结构及其制备方法在审
| 申请号： | 202010000922.8 | 申请日： | 2020-01-02 |
| 公开（公告）号： | CN113066749A | 公开（公告）日： | 2021-07-02 |
| 发明（设计）人： | 欧欣;陈阳;黄凯;李忠旭;赵晓蒙 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 主分类号： | H01L21/683 | 分类号： | H01L21/683;H01L21/78;H01L21/82;H01L27/02 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 刘星 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种多材料共平面的异质集成结构及其制备方法，该方法包括以下步骤：S1：提供一转移基板，对转移基板进行离子注入，以在转移基板的预设深度处形成缺陷层，转移基板位于缺陷层上方的部分作为转移层；S2：图案化转移层及缺陷层；S3：将转移基板与一衬底键合，其中，转移层面向衬底；S4：将转移基板从缺陷层处剥离，以将图案化的转移层转移到衬底表面；S5：重复步骤S1～S4至少一次，以得到位于同一衬底表面的至少两种不同材料的转移层。本发明结合离子束剥离工艺以及对准键合工艺，可以实现晶圆级多材料共平面的高密度异质集成，可以为异质集成技术的发展提供新的发展方向，为将来异质集成标准化生产提供材料平台。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 材料 平面 集成 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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