[发明专利]一种超分辨成像的光刻系统及方法在审

专利信息
申请号: 202010002670.2 申请日: 2020-01-02
公开(公告)号: CN110989300A 公开(公告)日: 2020-04-10
发明(设计)人: 曾爱军;张冲;胡敬佩;周如意;黄惠杰 申请(专利权)人: 中国科学院上海光学精密机械研究所
主分类号: G03F7/20 分类号: G03F7/20;G02B27/42;G02B27/58
代理公司: 上海恒慧知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31317 代理人: 张宁展
地址: 201800 *** 国省代码: 上海;31
权利要求书: 暂无信息 说明书: 暂无信息
摘要: 发明提出一种可以实现超分辨成像的光刻系统及光刻方法,其中光刻系统包括光源、扩束单元、反射镜、光瞳整形单元、匀光单元、照明镜组和曝光台。该光刻方法基于表面等离子体共振腔结构,该结构依次包括上基底层、介质光栅层、金属光栅层、金属薄膜层、光刻胶层、金属薄膜层和下基底层,其特征在于:在所述的上基底层和金属光栅层之间设有介质层,光刻胶层和下基底层之间设有金属薄膜层,通过调节介质光栅层和光刻胶层的厚度可以改变光刻胶中干涉条纹的分辨率。该共振腔结构在光刻系统离轴照明模式下,突破了传统衍射极限以及传统照明模式在曝光深度方面的局限性。
搜索关键词: 一种 分辨 成像 光刻 系统 方法
【主权项】:
暂无信息
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