[发明专利]磁存储器件在审
| 申请号： | 202010004334.1 | 申请日： | 2020-01-03 |
| 公开（公告）号： | CN111525025A | 公开（公告）日： | 2020-08-11 |
| 发明（设计）人： | 金洸奭;张荣万;皮雄焕 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L43/08 | 分类号： | H01L43/08;H01L43/10;H01L43/12;H01L27/22 |
| 代理公司： | 北京市立方律师事务所 11330 | 代理人： | 李娜 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 在一个实施例中，提供了一种磁存储器件。所述磁存储器件包括：自由层结构，所述自由层结构具有可变的磁化方向。所述自由层结构包括：第一自由层，所述第一自由层是第一赫斯勒合金；耦合层，所述耦合层位于所述第一自由层上，所述耦合层包括金属氧化物层；和第二自由层，所述第二自由层位于所述金属氧化物层上，所述第二自由层是第二赫斯勒合金，所述第二赫斯勒合金不同于所述第一赫斯勒合金。所述磁存储器件还可以包括：被钉扎层结构，所述被钉扎层结构具有固定的磁化方向；以及隧道势垒层，所述隧道势垒层位于所述被钉扎层结构与所述自由层结构之间。 | ||
| 搜索关键词： | 磁存储器 | ||
【主权项】：
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