[发明专利]一种改善锗单晶内应力及内部缺微陷的热处理方法在审
| 申请号： | 202010005328.8 | 申请日： | 2020-01-03 |
| 公开（公告）号： | CN110952145A | 公开（公告）日： | 2020-04-03 |
| 发明（设计）人： | 韩帅民;崔丁方;李恒方;彭明清;子光平;杨康;李双坐;张仕波;赵国灿;史桂平 | 申请（专利权）人： | 云南驰宏国际锗业有限公司 |
| 主分类号： | C30B33/02 | 分类号： | C30B33/02;C30B29/08 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 655099 云南省曲靖市翠峰西路*** | 国省代码： | 云南;53 |
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| 摘要： | 一种改善锗单晶内应力及内部缺微陷的热处理方法，包括以下步骤：S1：将需要进行退火的锗单晶截断成合适的长度并标明编号放入炉中；S2：按照设备操作规程，将炉子抽真空后再充入氩气，然后重复两次；第二次充入氩气时，保持炉室内氩气为常压，氩气持续通入一定的气流量；单晶在氩气氛围中升温；S3：升温与降温过程包括：S31升温至100℃；S32：升温至350℃；S33：升温至450℃；S34：恒温处理；S35：降温冷却至25℃。本发明，热处理顶点温度450℃，在该温度点作为热处理顶点温时，能够有效消除锗单晶内应力与内部微缺陷。同时，根据不同直径尺寸的单晶设置了不同的升降温方案，在保证热处理效果的同时提升了生产效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 改善 锗单晶 内应力 内部 缺微陷 热处理 方法 | ||
【主权项】：
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