[发明专利]高填充率MEMS换能器有效

专利信息
申请号: 202010005578.1 申请日: 2020-01-03
公开(公告)号: CN111182429B 公开(公告)日: 2021-04-02
发明(设计)人: 吴国强;贾利成;石磊 申请(专利权)人: 武汉大学
主分类号: H04R19/00 分类号: H04R19/00;H04R19/02
代理公司: 武汉科皓知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 42222 代理人: 郑勤振
地址: 430072 湖*** 国省代码: 湖北;42
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摘要: 公开了一种MEMS换能器,包括一个或多个换能器阵列,所述换能器阵列包括呈蜂窝状排布的若干个正六边形换能器单元,所述换能器单元包括:衬底,具有正六边形凹腔;和换能器结构层,位于所述衬底上方并与所述衬底接合,与所述正六边形凹腔成真空腔室;其中所述多个换能器阵列串联连接,所述换能器阵列中的所述若干个正六边形换能器单元相互并联。本发明采用蜂窝状排列将换能器单元进行阵列排布,可以实现100%的填充率,提高了换能器的接收/发射灵敏度。所述换能器结构层的所述底电极层和/或所述顶电极层采用内外差分式电极布置,提高电荷收集率。
搜索关键词: 填充 mems 换能器
【主权项】:
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