[发明专利]铌酸钾钠纳米棒阵列生长操作方法及其传感器件制作方法有效
| 申请号： | 202010007281.9 | 申请日： | 2020-01-04 |
| 公开（公告）号： | CN111174950B | 公开（公告）日： | 2022-04-19 |
| 发明（设计）人： | 王钊;卢梦瑞;姜蕾;顾豪爽 | 申请（专利权）人： | 湖北大学 |
| 主分类号： | H01L41/39 | 分类号： | H01L41/39;G01L1/16;G01L9/08;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 武汉帅丞知识产权代理有限公司 42220 | 代理人： | 刘丹;朱必武 |
| 地址： | 430062 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开一种铌酸钾钠纳米棒阵列的图形化生长的操作方法及其自供电压力分布式传感器件的制作方法，所述传感器的制作包括：金属阻挡层的制备；铌酸钾钠纳米棒阵列的图形化生长；上电极的制备等步骤。将钛酸锶衬底经过清洗烘干后，在其上采用光刻溅射法制做出铬/金的金属阻挡层；采用传统水热合成工艺，用氢氧化钾、氢氧化钠，五氧化二铌在高温高压下水热合成铌酸钾钠纳米棒阵列；将KNN纳米棒阵列放置在旋涂仪上后旋涂覆盖一层PMMA将KNN纳米棒包裹起来，然后进行磁控溅射，溅射完后拿掉掩膜版得到所需要的基于图形化无铅压电纳米棒阵列的压力分布式传感器；所述传感器能够有效监测压力的大小和位置，且能够自供电。 | ||
| 搜索关键词： | 铌酸钾钠 纳米 阵列 生长 操作方法 及其 传感 器件 制作方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于湖北大学，未经湖北大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202010007281.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
