[发明专利]具有亚带隙红外响应的宽谱晶硅太阳电池及其制备方法有效
申请号: | 202010007683.9 | 申请日: | 2020-01-05 |
公开(公告)号: | CN111180541B | 公开(公告)日: | 2021-06-04 |
发明(设计)人: | 戴希远;胡斐;陆明 | 申请(专利权)人: | 复旦大学 |
主分类号: | H01L31/047 | 分类号: | H01L31/047;H01L31/07;H01L31/0745;H01L31/18 |
代理公司: | 上海正旦专利代理有限公司 31200 | 代理人: | 陆飞;陆尤 |
地址: | 200433 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明属于硅基光伏技术领域,具体为具有亚带隙红外响应的宽谱晶硅太阳电池及其制备方法。本发明太阳电池结构包括:包括上、下两个部分:上半部分为透明导电电极ITO、由黑硅与钝化层组成的常规PN结,下半部分为由N型黑硅与金属纳米颗粒制成的具有亚带隙红外光伏响应的肖特基电池、背电极Al;上、下两部分之间由透明导电胶PEDOT:PSS连接;其中,ITO和Al作为电池的负极,中间的导电胶PEDOT:PSS作为电池的正极,上下电池呈并联叠层结构。本发明有效地将常规PN结电池与具有亚带隙红外光伏响应的肖特基电池结合,与常规PN结电池相比,拓宽了电池的光谱响应范围,提高了光电转化效率。 | ||
搜索关键词: | 具有 亚带隙 红外 响应 宽谱晶硅 太阳电池 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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