[发明专利]对准半导体晶圆以进行分割的方法在审
| 申请号： | 202010008015.8 | 申请日： | 2020-01-06 |
| 公开（公告）号： | CN111490011A | 公开（公告）日： | 2020-08-04 |
| 发明（设计）人： | M·J·瑟登;野间崇 | 申请（专利权）人： | 半导体元件工业有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/78 | 分类号： | H01L21/78;H01L21/68;H01L23/544 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 张丹 |
| 地址： | 美国亚*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明题为“对准半导体晶圆以进行分割的方法”。用于对准半导体晶圆以进行分割的方法的具体实施可包括：提供具有第一侧面和第二侧面的半导体晶圆。该晶圆的第一侧面可包括多个管芯，并且该多个管芯可由道分开。该半导体晶圆可包括围绕位于该晶圆的第二侧面上的该晶圆的周边的边缘环。该晶圆还可包括位于该晶圆的第二侧面上的金属层。该金属层可基本上覆盖该边缘环。该方法可包括磨削该边缘环以形成边缘排除区域，以及使用定位在位于该晶圆的第二侧面上的该边缘排除区域中的相机将该半导体晶圆与锯对准。对准该晶圆可包括使用包括在该边缘排除区域中的三个或更多个对准特征部。 | ||
| 搜索关键词： | 对准 半导体 进行 分割 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
