[发明专利]一种绝缘闸双极晶体管与整流器之整合结构的制造方法在审
| 申请号： | 202010008157.4 | 申请日： | 2020-01-03 |
| 公开（公告）号： | CN111180511A | 公开（公告）日： | 2020-05-19 |
| 发明（设计）人： | 章道军 | 申请（专利权）人： | 深圳市瑞联升科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/06 |
| 代理公司： | 深圳鼎合诚知识产权代理有限公司 44281 | 代理人： | 彭家恩;彭愿洁 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市龙华区大*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 一种绝缘闸双极晶体管与整流器之整合结构的制造方法，形成一具有第一导电类型之基体掺杂区于各闸极绝缘层之任一侧之第二导电类型之漂移磊晶层内，使相邻闸极间之基体掺杂区分为二个，进而减少基体掺杂区之底部与漂移磊晶层之PN接面面积，藉此于维持IGBT具有相同耐压能力下，借着不同位置的浓度差异降低整流器超额少数载子的注入量，进而提升由基体掺杂区与漂移磊晶层构成之整流器的快速逆向恢复时间，实现提升快速逆向恢复时间整流器的设计。另设置一第一导电类型之轻掺杂区于漂移磊晶层与接触掺杂区之间，以避免因减少基体掺杂区之面积造成高掺杂浓度之第一导电类型之接触掺杂区高掺杂浓度之漂移磊晶层相接触所产生之导通。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 绝缘 双极晶体管 整流器 整合 结构 制造 方法 | ||
【主权项】：
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