[发明专利]一种低位错原位刻蚀MOCVD二次外延生长方法在审
| 申请号： | 202010008267.0 | 申请日： | 2020-01-03 |
| 公开（公告）号： | CN111180313A | 公开（公告）日： | 2020-05-19 |
| 发明（设计）人： | 马骁宇;赵碧瑶;熊聪;林楠;刘素平 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01S5/30 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 吴梦圆 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： |
一种低位错原位刻蚀MOCVD二次外延生长方法，该方法包括：对二次外延之前的一次外延片做原位刻蚀处理；以及在原位刻蚀后的一次外延片上进行InGaAsP、InAlGaAs、AlGaAs或AlGaInP材料的二次外延生长。本发明在反应腔室中通入HCl气体作为主刻蚀气体，同时通入PBr |
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| 搜索关键词： | 一种 低位 原位 刻蚀 mocvd 二次 外延 生长 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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