[发明专利]晶片的加工方法在审
| 申请号： | 202010008606.5 | 申请日： | 2020-01-06 |
| 公开（公告）号： | CN111415863A | 公开（公告）日： | 2020-07-14 |
| 发明（设计）人： | 小田中健太郎 | 申请（专利权）人： | 株式会社迪思科 |
| 主分类号： | H01L21/304 | 分类号： | H01L21/304;H01L21/683;B23K26/18;B23K26/364 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 于靖帅;黄纶伟 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供晶片的加工方法，能够抑制碎片附着于器件。晶片的加工方法具有如下的步骤：保护膜包覆步骤(ST1)，利用保护膜包覆晶片的层叠体；第1激光加工步骤(ST3)，向间隔道的宽度方向的两端照射激光束，从而在间隔道形成两条激光加工槽；第2激光加工步骤(ST4)，通过沿着间隔道照射激光束，将两条激光加工槽之间的层叠体与保护膜一起去除；切削步骤(ST5)，利用切削刀具对间隔道的露出基材的区域进行切削；以及保护膜去除步骤(ST2)，在实施了保护膜包覆步骤(ST1)之后且实施第1激光加工步骤(ST3)之前，向比形成两条激光加工槽的位置靠间隔道的内侧的位置照射激光束来去除保护膜。 | ||
| 搜索关键词： | 晶片 加工 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
