[发明专利]制造半导体器件的方法在审
| 申请号： | 202010009130.7 | 申请日： | 2020-01-06 |
| 公开（公告）号： | CN112578642A | 公开（公告）日： | 2021-03-30 |
| 发明（设计）人： | 刘如淦;张惠政;陈佳政;谢志宏;陈亮吟;孙书辉;林纬良;张雅惠;苏怡年;严永松;张家峰;叶雅雯;沈育佃 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20 |
| 代理公司： | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 11258 | 代理人： | 桑敏 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本公开涉及制造半导体器件的方法。在一种形成图案的方法中，在底层上方形成光致抗蚀剂层，将光致抗蚀剂层曝光于承载图案信息的光化辐射，对经曝光的光致抗蚀剂层进行显影以形成经显影的抗蚀剂图案，将定向蚀刻操作应用于经显影的抗蚀剂图案以形成经修整的抗蚀剂图案，以及使用经修整的抗蚀剂图案作为蚀刻掩模来对底层进行图案化。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 半导体器件 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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