[发明专利]电容器及其制备方法在审
| 申请号： | 202010009965.2 | 申请日： | 2020-01-06 |
| 公开（公告）号： | CN113078141A | 公开（公告）日： | 2021-07-06 |
| 发明（设计）人： | 李相遇;崔基雄;金成基 | 申请（专利权）人： | 夏泰鑫半导体（青岛）有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/64 | 分类号： | H01L23/64;H01L27/108;H01L49/02 |
| 代理公司： | 深圳市赛恩倍吉知识产权代理有限公司 44334 | 代理人： | 王娟 |
| 地址： | 266000 山东省青岛市黄岛区*** | 国省代码： | 山东;37 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种电容器的制备方法，其包括：形成下电极；在所述下电极上依次形成层叠设置的多个介电膜层，其中距离所述下电极最近的介电膜层和距离所述下电极最远的介电膜层均含有氮氧化铝、氮氧化锆、氮氧化铪中的至少一种；以及在所述多个介电膜层远离下电极的一侧形成上电极。本发明还提供一种电容器。最靠近所述上电极的介电膜层为金属氮氧化物，最靠近所述下电极的介电材料层为金属氮氧化物，既能保证所述多个介电膜层整体的高介电系数，又能有效避免介电膜层与电极的反应，从而改善所述电容器的泄露问题。 | ||
| 搜索关键词： | 电容器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于夏泰鑫半导体（青岛）有限公司，未经夏泰鑫半导体（青岛）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202010009965.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
