[发明专利]半导体器件及其形成方法在审
| 申请号： | 202010010411.4 | 申请日： | 2020-01-06 |
| 公开（公告）号： | CN113078215A | 公开（公告）日： | 2021-07-06 |
| 发明（设计）人： | 周飞 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司;中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 吴敏 |
| 地址： | 100176 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体器件及其形成方法，其形成方法包括：提供衬底，在所述衬底上形成阱层；在所述阱层上形成半导体层；刻蚀所述半导体层及部分厚度的所述阱层，在所述衬底上形成若干分立排布的鳍部。本发明的形成方法避免了在阱层形成过程中，阱层中的扩散离子对鳍部造成的损伤，提高了形成的鳍部的质量，从而使得形成的半导体器件的质量和性能得到提高。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
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